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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP12CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP12CN10L G
  IPP12CN10L G-ND
  IPP12CN10LG
  SP000680864
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 83μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N10S3L-12
  仓库库存编号：IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
  别名：IPD70N10S3L-12CT
  IPD70N10S3L-12CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 83μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70N10S3L12ATMA1
  仓库库存编号：IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
  别名：IPB70N10S3L-12
  IPB70N10S3L-12-ND
  SP000379631
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 83μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI70N10S3L12AKSA1
  仓库库存编号：IPI70N10S3L12AKSA1-ND
  别名：IPI70N10S3L-12
  IPI70N10S3L-12-ND
  SP000427250
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 83μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP70N10S3L12AKSA1
  仓库库存编号：IPP70N10S3L12AKSA1-ND
  别名：IPP70N10S3L-12
  IPP70N10S3L-12-ND
  SP000427252
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 83μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS12CN10LGBKMA1
  仓库库存编号：IPS12CN10LGBKMA1-ND
  别名：IPS12CN10L G
  IPS12CN10L G-ND
  SP000311530
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 83μA,
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