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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP032N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP032N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP032N06N3 G
  IPP032N06N3 G-ND
  IPP032N06N3G
  SP000680770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 118μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI032N06N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI032N06N3GAKSA1-ND
  别名：SP000680650
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 118μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA032N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA032N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPA032N06N3 G
  IPA032N06N3 G-ND
  IPA032N06N3G
  SP000453608
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 118μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 118μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB029N06N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB029N06N3 G E8187
  IPB029N06N3 G E8187-ND
  SP000939334
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 118μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI032N06N3 G
  仓库库存编号：IPI032N06N3 G-ND
  别名：SP000451490
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 118μA,
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