产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 33μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 50A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N08S413ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N08S413ATMA1-ND
别名:SP000988948
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 33μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 13A(Ta),56A(Tc) 2.2W(Ta),38W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 33μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 33μA,
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