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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R2-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1860-1-ND
  别名：1727-1860-1
  568-11556-1
  568-11556-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R9-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2494-1-ND
  别名：1727-2494-1
  568-12926-1
  568-12926-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），65W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8560S
  仓库库存编号：FDMS8560SCT-ND
  别名：FDMS8560SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 43W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R0-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2500-1-ND
  别名：1727-2500-1
  568-12932-1
  568-12932-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 51W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN5R3-25MLDX
  仓库库存编号：1727-2503-1-ND
  别名：1727-2503-1
  568-12935-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V MLFP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 51W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN6R5-30MLDX
  仓库库存编号：1727-2220-1-ND
  别名：1727-2220-1
  568-12474-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 65W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R5-25MLDX
  仓库库存编号：1727-2502-1-ND
  别名：1727-2502-1
  568-12934-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W （Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R0-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2498-1-ND
  别名：1727-2498-1
  568-12930-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 135W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R7-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2497-1-ND
  别名：1727-2497-1
  568-12929-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMNR90-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7110-1-ND
  别名：1727-7110-1
  568-9480-1
  568-9480-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R0-40YLDX
  仓库库存编号：1727-1856-1-ND
  别名：1727-1856-1
  568-11552-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 349W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R9-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1858-1-ND
  别名：1727-1858-1
  568-11554-1
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R0-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1817-1-ND
  别名：1727-1817-1
  568-11433-1
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA66DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA66DP-T1-GE3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA66DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA66DN-T1-GE3-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 8WLCSP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.6W Surface Mount 8-WLCSP (6x2.5)
  
  型号：EFC4C002NLTDG
  仓库库存编号：EFC4C002NLTDG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 28A 125W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTMC60TL11CT3AG
  仓库库存编号：APTMC60TL11CT3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Texas Instruments
  MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW
  详细描述：Mosfet Array 20V 1.5A 2.86W Surface Mount 24-SOIC
  
  型号：TPIC1502DW
  仓库库存编号：296-10859-5-ND
  别名：296-10859-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HAT2038R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2038R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4752DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4752DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA,
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