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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 11.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 54W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C3M0280090D
  仓库库存编号：C3M0280090D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 11A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0280090J-TR
  仓库库存编号：C3M0280090J-TRCT-ND
  别名：C3M0280090J-TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CP
  仓库库存编号：IPB60R099CPCT-ND
  别名：IPB60R099CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R099CP
  IPP60R099CPIN
  IPP60R099CPIN-ND
  IPP60R099CPXK
  IPP60R099CSIN
  IPP60R099CSIN-ND
  IPP60R099CSX
  IPP60R099CSXTIN
  IPP60R099CSXTIN-ND
  SP000057021
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R099C6XKSA1-ND
  别名：SP000895218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CP
  仓库库存编号：IPW60R099CP-ND
  别名：IPW60R099CPFKSA1
  IPW60R099CPXK
  IPW60R099CSX
  SP000067147
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK25A60X,S5X
  仓库库存编号：TK25A60XS5X-ND
  别名：TK25A60X,S5X(M
  TK25A60XS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：TK25N60X,S1F
  仓库库存编号：TK25N60XS1F-ND
  别名：TK25N60X,S1F(S
  TK25N60XS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R099C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R099C6FKSA1-ND
  别名：SP000896396
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R099C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R099C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R099C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT38N60BC6
  仓库库存编号：APT38N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X,S1X
  仓库库存编号：TK25E60XS1X-ND
  别名：TK25E60X,S1X(S
  TK25E60XS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CPAATMA1
  仓库库存编号：IPB60R099CPAATMA1TR-ND
  别名：IPB60R099CPA
  IPB60R099CPA-ND
  SP000315443
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R099CP
  IPI60R099CP-ND
  IPI60R099CPAKSA1
  SP000297356
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPI60R099CPA
  IPI60R099CPA-ND
  SP000315454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPP60R099CPA
  IPP60R099CPA-ND
  SP000315418
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CPAFKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099CPAFKSA1-ND
  别名：SP000597860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT38N60SC6
  仓库库存编号：APT38N60SC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.2mA,
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