以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP260N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP260N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP260N06N3 G
  IPP260N06N3 G-ND
  SP000453638
  SP000680918
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 11μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB260N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB260N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB260N06N3 GCT
  IPB260N06N3 GCT-ND
  IPB260N06N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 11μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD250N06N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD250N06N3 GCT
  IPD250N06N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 11μA,
• 无铅
• 搜索