产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS5PF30L
仓库库存编号:
497-3231-1-ND
别名:497-3231-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD20NF06LT4
仓库库存编号:
497-5888-1-ND
别名:497-5888-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 300mW(Tj) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002ET1G
仓库库存编号:
2N7002ET1GOSCT-ND
别名:2N7002ET1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002LT1G
仓库库存编号:
2N7002LT1GOSCT-ND
别名:2N7002LT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23-3
型号:
2N7002-7-F
仓库库存编号:
2N7002-FDICT-ND
别名:2N7002-FDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002K-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002K-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002K-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 830mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002,215
仓库库存编号:
1727-2764-1-ND
别名:1727-2764-1
568-1369-1
568-1369-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002
仓库库存编号:
2N7002NCT-ND
别名:2N7002NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
NDS7002A
仓库库存编号:
NDS7002ACT-ND
别名:NDS7002ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 900mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR5198NLT1G
仓库库存编号:
NTR5198NLT1GOSCT-ND
别名:NTR5198NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 1.7W(Tc) SOT-23-3
型号:
SI2347DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2347DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2347DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
STR2P3LLH6
仓库库存编号:
497-15520-1-ND
别名:497-15520-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563F
型号:
2N7002V
仓库库存编号:
2N7002VCT-ND
别名:2N7002VCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN352AP
仓库库存编号:
FDN352APCT-ND
别名:FDN352APCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 700mA, 500mA 340mW Surface Mount SOT-363
型号:
SI1539CDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1539CDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1539CDL-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 510mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
NDC7002N
仓库库存编号:
NDC7002NCT-ND
别名:NDC7002NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
BSS8402DW-7-F
仓库库存编号:
BSS8402DW-FDICT-ND
别名:BSS8402DW-FDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1026X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1026X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1026X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) TO-236
型号:
SI2369DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2369DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2369DS-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-GE3CT-ND
别名:SI1022R-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2318AES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2318AES-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.3W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23
型号:
SI2338DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2338DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2338DS-T1-GE3CT
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) SOT-23-6
型号:
STT4P3LLH6
仓库库存编号:
497-15521-1-ND
别名:497-15521-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Tc) 2W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2309ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2309ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mA(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN24H3D5L-7
仓库库存编号:
DMN24H3D5L-7DICT-ND
别名:DMN24H3D5L-7DICT
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