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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM120N06LCS RLG
  仓库库存编号：TSM120N06LCS RLGDKR-ND
  别名：TSM120N06LCS RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 70A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM120N06LCP ROG
  仓库库存编号：TSM120N06LCP ROGTR-ND
  别名：TSM120N06LCP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 70A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM120N06LCP ROG
  仓库库存编号：TSM120N06LCP ROGCT-ND
  别名：TSM120N06LCP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 70A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM120N06LCP ROG
  仓库库存编号：TSM120N06LCP ROGDKR-ND
  别名：TSM120N06LCP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5124PLTAG
  仓库库存编号：NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5124PLTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS484ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS484ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS484ENW-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 26A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ474EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ474EP-T1_GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62W（Tc）
  
  型号：SQS484EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS484EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS484EN-T1_GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4590DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4590DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4590DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4431CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4431CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4431CDY-T1-E3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA82EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA82EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ454EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ454EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 23A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISS71DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS71DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS71DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 32A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ479EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ479EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ974EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ974EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS460EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS460EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS460EN-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ407EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF3LLT4
  仓库库存编号：497-2475-1-ND
  别名：497-2475-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 38A（Tc） 46W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM170N06CH C5G
  仓库库存编号：TSM170N06CH C5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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