产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 170A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM024NA04LCR RLGTR-ND
别名:TSM024NA04LCR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 170A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM024NA04LCR RLGCT-ND
别名:TSM024NA04LCR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 170A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM024NA04LCR RLGDKR-ND
别名:TSM024NA04LCR RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 141A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM033NA04LCR RLGTR-ND
别名:TSM033NA04LCR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 141A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM033NA04LCR RLGCT-ND
别名:TSM033NA04LCR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 141A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
别名:TSM033NA04LCR RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 2W(Ta),50W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL8NH3LL
仓库库存编号:
497-4115-1-ND
别名:497-4115-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL55NH3LL
仓库库存编号:
497-7018-1-ND
别名:497-7018-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ412EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ412EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
SQJ412EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU75N3LLH6
仓库库存编号:
497-12701-5-ND
别名:497-12701-5
STU75N3LLH6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 100V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 136W(Tc) TO-252
型号:
SQD40P10-40L_GE3
仓库库存编号:
SQD40P10-40L_GE3CT-ND
别名:SQD40P10-40L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 80W(Tc) I2PAK
型号:
STI55NF03L
仓库库存编号:
497-12263-ND
别名:497-12263
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 5.2W(Ta) PolarPak?
型号:
STK820
仓库库存编号:
497-6324-1-ND
别名:497-6324-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) 136W(Tc) D-PAK(TO-252)
型号:
SQR70090ELR_GE3
仓库库存编号:
SQR70090ELR_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP75N3LLH6
仓库库存编号:
497-11336-5-ND
别名:497-11336-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.8W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N6LF6
仓库库存编号:
497-13273-1-ND
别名:497-13273-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50020EL-GE3
仓库库存编号:
SUM50020EL-GE3CT-ND
别名:SUM50020EL-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB85NF55LT4
仓库库存编号:
497-5732-1-ND
别名:497-5732-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NF03L-03T4
仓库库存编号:
497-7929-1-ND
别名:497-7929-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU150N3LLH6
仓库库存编号:
497-12693-5-ND
别名:497-12693-5
STU150N3LLH6-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD50N06-09L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N06-09L_GE3CT-ND
别名:SQD50N06-09L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40010EL-GE3
仓库库存编号:
SUP40010EL-GE3-ND
别名:SUP40010EL-GE3TR
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB80NF55L-08-1
仓库库存编号:
497-12542-5-ND
别名:497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
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Transphorm
GAN FET 600V 9A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 65W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3202LS
仓库库存编号:
TPH3202LS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
型号:
2N7002VA-7
仓库库存编号:
2N7002VADICT-ND
别名:2N7002VADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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