产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ148EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ148EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 50V 280mA 350mW Surface Mount SOT-563
型号:
CMLDM8002AG TR
仓库库存编号:
CMLDM8002AG CT-ND
别名:CMLDM8002AG CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),7.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) 8-SO
型号:
SI4620DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4620DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4620DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4431CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4431CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4431CDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4210DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4210DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4210DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS427EDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS427EDN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMT6015LSS-13
仓库库存编号:
DMT6015LSS-13DICT-ND
别名:DMT6015LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4476A
仓库库存编号:
785-1201-1-ND
别名:785-1201-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06LTM
仓库库存编号:
FQD13N06LTMCT-ND
别名:FQD13N06LTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ946EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ946EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ946EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),45A(Tc) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3009SFG-7
仓库库存编号:
DMN3009SFG-7DICT-ND
别名:DMN3009SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ476EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ476EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR472DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR472DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR472DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc)
型号:
SI4134DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4134DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4134DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4134DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4134DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4134DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8896
仓库库存编号:
FDS8896CT-ND
别名:FDS8896CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4485
仓库库存编号:
785-1551-1-ND
别名:785-1551-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD10N20LZTM
仓库库存编号:
FDD10N20LZTMCT-ND
别名:FDD10N20LZTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Central Semiconductor Corp
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 350mW Surface Mount SOT-563
型号:
CMLDM7002AJ TR
仓库库存编号:
CMLDM7002AJ CT-ND
别名:CMLDM7002AJ CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 88W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8796
仓库库存编号:
FDD8796CT-ND
别名:FDD8796CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4172DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4172DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4172DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),21A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) Power56
型号:
FDMS8880
仓库库存编号:
FDMS8880CT-ND
别名:FDMS8880CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 2.7W(Ta) 8-SO
型号:
STS5P3LLH6
仓库库存编号:
497-15484-1-ND
别名:497-15484-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA86EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA86EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA86EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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