产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta),35A(Tc) 3.5W(Ta) TO-252
型号:
DMP4015SK3Q-13
仓库库存编号:
DMP4015SK3Q-13DICT-ND
别名:DMP4015SK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 4W Surface Mount
型号:
SQ4940AEY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4940AEY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4940AEY-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 3.7W(Ta), 54W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5885NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5885NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5885NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 17.2A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
型号:
FQU20N06LTU
仓库库存编号:
FQU20N06LTUFS-ND
别名:FQU20N06LTU-ND
FQU20N06LTUFS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Tc) 3.75W(Tc) 8-SO
型号:
SQ9407EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ9407EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ9407EY-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 14A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta),45A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMPH4015SK3Q-13
仓库库存编号:
DMPH4015SK3Q-13DICT-ND
别名:DMPH4015SK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 75V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ980AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ980AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ980AEP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB60EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB60EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB60EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB40EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB40EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB40EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名:SQD70140EL_GE3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名:SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.7A(Ta),49A(Tc) 2.3W(Ta),52W(Tc) Power33
型号:
FDMC7582
仓库库存编号:
FDMC7582CT-ND
别名:FDMC7582CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 4.8W(Ta), 55W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL8N6LF6AG
仓库库存编号:
497-16505-1-ND
别名:497-16505-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
型号:
DMTH6016LSDQ-13
仓库库存编号:
DMTH6016LSDQ-13DICT-ND
别名:DMTH6016LSDQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL42P4LLF6
仓库库存编号:
497-15478-1-ND
别名:497-15478-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 4.8W(Ta),62.5W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL58N3LLH5
仓库库存编号:
497-16041-1-ND
别名:497-16041-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),116A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8820
仓库库存编号:
FDMS8820CT-ND
别名:FDMS8820CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 34A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号:
SQJ990EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ990EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ990EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAK SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ443EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ443EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ443EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ912AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ912AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ912AEP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7386DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7386DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7386DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ444EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ444EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA80EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA80EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号:
SQJ940EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ940EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ940EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7386DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7386DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7386DP-T1-GE3CT
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