产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM061NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM061NA03CR RLGTR-ND
别名：TSM061NA03CR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM061NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM061NA03CR RLGCT-ND
别名：TSM061NA03CR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM061NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM061NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM061NA03CR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA26DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA26DP-T1-RE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 3.2W（Ta），22W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5826NLTWG
仓库库存编号：
NVTFS5826NLTWGOSCT-ND
别名：NVTFS5826NLTWGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM045NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM045NA03CR RLGTR-ND
别名：TSM045NA03CR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM045NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM045NA03CR RLGCT-ND
别名：TSM045NA03CR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM045NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM045NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM045NA03CR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 25.3A 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 25.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4143DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4143DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4143DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD96N3LLH6
仓库库存编号：
497-11214-1-ND
别名：497-11214-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL51N3LLH5
仓库库存编号：
497-12980-1-ND
别名：497-12980-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA88EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA03CR RLGTR-ND
别名：TSM033NA03CR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA03CR RLGCT-ND
别名：TSM033NA03CR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM033NA03CR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM070NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM070NA04LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM070NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM070NA04LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM070NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM070NA04LCR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGTR-ND
别名：TSM038N04LCP ROGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGCT-ND
别名：TSM038N04LCP ROGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGDKR-ND
别名：TSM038N04LCP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8W
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQSA80ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND
别名：SQSA80ENW-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA60EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA60EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA60EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM160N10LCR RLG
仓库库存编号：
TSM160N10LCR RLGTR-ND
别名：TSM160N10LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM160N10LCR RLG
仓库库存编号：
TSM160N10LCR RLGCT-ND
别名：TSM160N10LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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