以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 185A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM018NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM018NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM018NA03CR RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4410EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4410EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4410EY-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP40NF03L
  仓库库存编号：497-3187-5-ND
  别名：497-3187-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB36NF06LT4
  仓库库存编号：497-6551-1-ND
  别名：497-6551-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 66W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM340N06CH X0G
  仓库库存编号：TSM340N06CH X0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM015NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM015NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM015NA03CR RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM015NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM015NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM015NA03CR RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM015NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM015NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM015NA03CR RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM900N10CH X0G
  仓库库存编号：TSM900N10CH X0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NF04LT
  仓库库存编号：STD30NF04LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH52N10LF3-2AG
  仓库库存编号：STH52N10LF3-2AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ960EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ960EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ960EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ910EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ910EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 36A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ980EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ980EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ980EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 160A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ906EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ906EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ906EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） DPAK
  
  型号：STD100N10LF7AG
  仓库库存编号：STD100N10LF7AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ100EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ100EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB155N3LH6
  仓库库存编号：497-11323-1-ND
  别名：497-11323-1
  497-11323-5
  497-11323-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70101EL-GE3
  仓库库存编号：SUP70101EL-GE3CT-ND
  别名：SUP70101EL-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NF03L
  仓库库存编号：497-12616-5-ND
  别名：497-12616-5
  STP60NF03L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70101EL-GE3
  仓库库存编号：SUM70101EL-GE3CT-ND
  别名：SUM70101EL-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），110A（Tc） 3.13W（Ta），312W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N04-2M1P-E3
  仓库库存编号：SUM110N04-2M1P-E3CT-ND
  别名：SUM110N04-2M1P-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
  
  型号：CSD88599Q5DCT
  仓库库存编号：296-46924-1-ND
  别名：296-46924-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 340mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN67D8L-13
  仓库库存编号：DMN67D8L-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN67D8LW-13
  仓库库存编号：DMN67D8LW-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索