以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4813
  仓库库存编号：785-1058-1-ND
  别名：785-1058-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7414AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ7414AEN-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP4015SPSQ-13
  仓库库存编号：DMP4015SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMP4015SPSQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7716ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7716ADN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD3P03R2G
  仓库库存编号：NTMD3P03R2GOSCT-ND
  别名：NTMD3P03R2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ858AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ858AEP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS270
  仓库库存编号：BS270FS-ND
  别名：BS270-ND
  BS270FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4386DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4386DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4386DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4286DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4286DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4286DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5NF60L
  仓库库存编号：497-8044-1-ND
  别名：497-8044-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：2N7008-G
  仓库库存编号：2N7008-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4164DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4164DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4164DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Ta），35A（Tc） 1.26W（Ta），32.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4815N-35G
  仓库库存编号：NTD4815N-35GOS-ND
  别名：NTD4815N-35G-ND
  NTD4815N-35GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8870
  仓库库存编号：FDD8870FSCT-ND
  别名：FDD8870FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7228DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7228DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7228DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 83W（Tc）
  
  型号：SQJ422EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ422EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2908TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR2908TRLPBFCT-ND
  别名：IRLR2908TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 40A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD40N06-14L_GE3
  仓库库存编号：SQD40N06-14L_GE3CT-ND
  别名：SQD40N06-14L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86102LZ
  仓库库存编号：FDMS86102LZCT-ND
  别名：FDMS86102LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR494DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR494DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR494DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU
  仓库库存编号：FQU13N06LTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD95N4LF3
  仓库库存编号：497-8776-1-ND
  别名：497-8776-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N06L
  仓库库存编号：FQP13N06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU_WS
  仓库库存编号：FQU13N06LTU_WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta），23A（Tc） 2.1W（Ta），41.5W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2618L
  仓库库存编号：785-1438-5-ND
  别名：785-1438-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索