产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 40W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8878
仓库库存编号:
FDD8878CT-ND
别名:FDD8878CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR788DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A (Ta) 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS8DN6LF6AG
仓库库存编号:
497-17309-1-ND
别名:497-17309-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR164DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS4030TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS4030TRL7PPCT-ND
别名:IRLS4030TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-262
型号:
IRLSL3036PBF
仓库库存编号:
IRLSL3036PBF-ND
别名:SP001559028
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) TO-262
型号:
IRLSL4030PBF
仓库库存编号:
IRLSL4030PBF-ND
别名:SP001558626
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGTR-ND
别名:TSM2308CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGCT-ND
别名:TSM2308CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGDKR-ND
别名:TSM2308CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGTR-ND
别名:TSM600P03CS RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGCT-ND
别名:TSM600P03CS RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGDKR-ND
别名:TSM600P03CS RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3424CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3424CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3424CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.5A(Tc) 1.9W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2303ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2303ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2303ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2.4W(Ta) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL4P3LLH6
仓库库存编号:
497-15510-1-ND
别名:497-15510-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 52A(Tc) 37W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM085N03PQ33 RGGTR-ND
别名:TSM085N03PQ33 RGGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 52A(Tc) 37W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM085N03PQ33 RGGCT-ND
别名:TSM085N03PQ33 RGGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 52A(Tc) 37W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM085N03PQ33 RGGDKR-ND
别名:TSM085N03PQ33 RGGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM150P03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM150P03PQ33 RGGTR-ND
别名:TSM150P03PQ33 RGGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM150P03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM150P03PQ33 RGGCT-ND
别名:TSM150P03PQ33 RGGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM150P03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM150P03PQ33 RGGDKR-ND
别名:TSM150P03PQ33 RGGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 40W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM090N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM090N03CP ROGTR-ND
别名:TSM090N03CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 40W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM090N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM090N03CP ROGCT-ND
别名:TSM090N03CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 40W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM090N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM090N03CP ROGDKR-ND
别名:TSM090N03CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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