产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7913DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7913DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7913DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS13N3LLH5
仓库库存编号:
497-12347-1-ND
别名:497-12347-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 95W(Tc) D-Pak
型号:
STD90N03L
仓库库存编号:
497-7979-1-ND
别名:497-7979-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc)
型号:
SI7102DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4465ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4465ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4465ADY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 2.7W(Ta) 8-SO
型号:
STS26N3LLH6
仓库库存编号:
497-12348-1-ND
别名:497-12348-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF55L-06T4
仓库库存编号:
497-12541-1-ND
别名:497-12541-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7421D1PBFCT-ND
别名:*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 317mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB65UPEZ
仓库库存编号:
1727-2177-1-ND
别名:1727-2177-1
568-12342-1
568-12342-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TR
仓库库存编号:
IRF7606CT-ND
别名:*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7526D1TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7306TR
仓库库存编号:
IRF7306TR-ND
别名:SP001551228
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7821TRPBF
仓库库存编号:
IRF7821PBFCT-ND
别名:*IRF7821TRPBF
IRF7821PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7306TRPBF
仓库库存编号:
IRF7306PBFCT-ND
别名:*IRF7306TRPBF
IRF7306PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7403TRPBF
仓库库存编号:
IRF7403PBFCT-ND
别名:*IRF7403TRPBF
IRF7403PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4410DYPBFCT-ND
别名:*SI4410DYTRPBF
SI4410DYPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7326D2TRPBFCT-ND
别名:IRF7326D2TRPBFCT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379TRPBF
仓库库存编号:
IRF7379PBFCT-ND
别名:*IRF7379TRPBF
IRF7379PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807PBFCT-ND
别名:*IRF7807TRPBF
IRF7807PBFCT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7316GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7316GTRPBFCT-ND
别名:IRF7316GTRPBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7416GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7416GTRPBFCT-ND
别名:IRF7416GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389TRPBF
仓库库存编号:
IRF7389PBFCT-ND
别名:*IRF7389TRPBF
IRF7389PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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