产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS331N
仓库库存编号:
NDS331NCT-ND
别名:NDS331NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
详细描述:表面贴装 P 沟道 860mA(Ta) 170mW(Ta) SOT-563
型号:
NTZS3151PT1G
仓库库存编号:
NTZS3151PT1GOSCT-ND
别名:NTZS3151PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN337N
仓库库存编号:
FDN337NCT-ND
别名:FDN337NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2305CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2305CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1016CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1016CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1016CX-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 1.25W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2336DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2336DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2336DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5935CDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5935CDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5935CDC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA533EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA533EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3A14FTA
仓库库存编号:
ZXMN3A14FCT-ND
别名:ZXMN3A14FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3473CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3473CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4838BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4838BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 2.4W(Ta),48W(Tc) Power33
型号:
FDMC610P
仓库库存编号:
FDMC610PCT-ND
别名:FDMC610PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB6020P
仓库库存编号:
NDB6020PCT-ND
别名:NDB6020PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803PBFCT-ND
别名:*IRLML2803TRPBF
IRLML2803PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 400mW(Ta) DFN2015H4-3
型号:
DMG3415UFY4-7
仓库库存编号:
DMG3415UFY4-7DICT-ND
别名:DMG3415UFY4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1012CR-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1012CR-T1-GE3CT-ND
别名:SI1012CR-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJD1155LT1G
仓库库存编号:
NTJD1155LT1GOSCT-ND
别名:NTJD1155LT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta)
型号:
DMP1045UFY4-7
仓库库存编号:
DMP1045UFY4-7DICT-ND
别名:DMP1045UFY4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3460DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3460DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3460DDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述:表面贴装 P 沟道 430mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP22D6UT-7
仓库库存编号:
DMP22D6UTDICT-ND
别名:DMP22D6UTDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA908PZ
仓库库存编号:
FDMA908PZCT-ND
别名:FDMA908PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA517DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA517DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA517DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5475DDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5475DDC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN7A11KTC
仓库库存编号:
ZXMN7A11KCT-ND
别名:ZXMN7A11KCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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