产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3206PS
仓库库存编号:
TPH3206PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LD
仓库库存编号:
TPH3206LD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LS
仓库库存编号:
TPH3206LS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3206PD
仓库库存编号:
TPH3206PD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
NTP8G202NG
仓库库存编号:
NTP8G202NGOS-ND
别名:NTP8G202NGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
无铅
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LDB
仓库库存编号:
TPH3206LDB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LSB
仓库库存编号:
TPH3206LSB-ND
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Transphorm
GAN FET 650V 16A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LDGB
仓库库存编号:
TPH3206LDGB-ND
别名:TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220-3
型号:
NTP8G206NG
仓库库存编号:
NTP8G206NGOS-ND
别名:NTP8G206NGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500μA,
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) TO-220AB
型号:
TPH3206PSB
仓库库存编号:
TPH3206PSB-ND
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