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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N25L2
  仓库库存编号：IXTK90N25L2-ND
  别名：622089
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX90N25L2
  仓库库存编号：IXTX90N25L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10L2
  仓库库存编号：IXTK200N10L2-ND
  别名：Q7017004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90N25L2
  仓库库存编号：IXTN90N25L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK110N20L2
  仓库库存编号：IXTK110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX110N20L2
  仓库库存编号：IXTX110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH110N25T
  仓库库存编号：IXFH110N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N80Q
  仓库库存编号：IXFH23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N80Q
  仓库库存编号：IXFT23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN110N20L2
  仓库库存编号：IXTN110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 3mA,
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