产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta),65A(Tc) 1.63W(Ta),22.73W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4985NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4985NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 48A(Ta) 1.6W(Ta),63W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8056-H,LQ(M
仓库库存编号:
TPCA8056-HLQ(M-ND
别名:TPCA8056-HLQ(M
TPCA8056HLQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 1.6W(Ta),70W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8055-H,LQ(M
仓库库存编号:
TPCA8055-HLQ(M-ND
别名:TPCA8055-HLQ(M
TPCA8055HLQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),65A(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4965NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4965NFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2160H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2160H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),65A(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4965NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4965NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 25A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8016-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8016HTE12LQMDKR-ND
别名:TPCA8016HTE12LQDKR
TPCA8016HTE12LQDKR-ND
TPCA8016HTE12LQM
TPCA8016HTE12LQMDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
详细描述:通孔 N 沟道 100V 55A(Ta) 140W(Tc) TO-220(W)
型号:
TK55D10J1(Q)
仓库库存编号:
TK55D10J1(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
详细描述:通孔 N 沟道 75V 60A(Ta) 140W(Tc) TO-220(W)
型号:
TK60D08J1(Q)
仓库库存编号:
TK60D08J1(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Ta) 45W(Tc) TO-220(W)
型号:
TK70D06J1(Q)
仓库库存编号:
TK70D06J1(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6006-H(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPC6006-H(TE85L,F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8018-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8018-H(TE12LQM)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8021-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 7.5A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8022-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8003-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8003-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8005-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8005-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8021-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8021-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8A01-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8A01-H(TE12L,Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.2A(Ta) 1W(Ta),30W(Tc) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8001-H(TE85LFM
仓库库存编号:
TPCP8001-H(TE85LFM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
型号:
TPC8212-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8212-H(TE12LQ,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
型号:
TPC8213-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8213-H(TE12LQ,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8036-H(TE12L,QM
仓库库存编号:
TPC8036-H(TE12L,QM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 34A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8A02-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8A02-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Ta) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8A04-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8A04-H(TE12L,Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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