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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.2A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8003-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8003-H(TE85L,F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8048-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8048-HTE12LQCT-ND
别名:TPCA8048-HTE12LQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8035-H(TE12L,QM
仓库库存编号:
TPC8035-HTE12LQMCT-ND
别名:TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8A01-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8A01-H(TE12LQMCT
TPCC8A01HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A05-H(TE12L,QM
仓库库存编号:
TPC8A05-H(TE12LQM-ND
别名:TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A06-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
别名:TPC8A06HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 75W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3075L,115
仓库库存编号:
PH3075L,115-ND
别名:934058853115
PH3075L T/R
PH3075L T/R-ND
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