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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB441EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB441EDK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB441EDK-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1050X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1050X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1050X-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-WLCSP（1.6x1.6）
  
  型号：SI8425DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8425DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8425DB-T1-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2.08W（Ta），2.97W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3493BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3493BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3493BDV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 29.7A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA437DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA437DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA437DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS23DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS23DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS23DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN2400UFB-7
  仓库库存编号：DMN2400UFB-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFB-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：AO7801
  仓库库存编号：785-1208-1-ND
  别名：785-1208-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8810EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8810EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8810EDB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6409A
  仓库库存编号：785-1598-1-ND
  别名：785-1598-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 610mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）
  
  型号：DMN2020UFCL-7
  仓库库存编号：DMN2020UFCL-7DICT-ND
  别名：DMN2020UFCL-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.2A 980mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：DMG9926UDM-7
  仓库库存编号：DMG9926UDMDICT-ND
  别名：DMG9926UDMDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA914ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA914ADJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA914ADJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA923AEDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA923AEDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA923AEDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5411EDU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5411EDU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23202W10T
  仓库库存编号：296-38338-1-ND
  别名：296-38338-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7900AEDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7900AEDN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7900AEDN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.23A TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.23A（Ta） 1.25W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP2305UVT-7
  仓库库存编号：DMP2305UVT-7DICT-ND
  别名：DMP2305UVT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A 870mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：DMG8822UTS-13
  仓库库存编号：DMG8822UTS-13DICT-ND
  别名：DMG8822UTS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 500MA 0806
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
  
  型号：SIUD403ED-T1-GE3
  仓库库存编号：SIUD403ED-T1-GE3CT-ND
  别名：SIUD403ED-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 500MA 0806
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 500mA（Tc） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
  
  型号：SIUD412ED-T1-GE3
  仓库库存编号：SIUD412ED-T1-GE3CT-ND
  别名：SIUD412ED-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.1A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN70XPX
  仓库库存编号：1727-2701-1-ND
  别名：1727-2701-1
  568-13220-1
  568-13220-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 20V SOT563
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.03A, 700mA 450mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMC2450UV-7
  仓库库存编号：DMC2450UV-7DICT-ND
  别名：DMC2450UV-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.5A（Tc） 1.8W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM320N03CX RFG
  仓库库存编号：TSM320N03CX RFGTR-ND
  别名：TSM320N03CX RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.5A（Tc） 1.8W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM320N03CX RFG
  仓库库存编号：TSM320N03CX RFGCT-ND
  别名：TSM320N03CX RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA,
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