产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7501TR
仓库库存编号:
IRF7501CT-ND
别名:*IRF7501TR
IRF7501
IRF7501CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7504TR
仓库库存编号:
IRF7504CT-ND
别名:*IRF7504TR
IRF7504
IRF7504CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7507TR
仓库库存编号:
IRF7507CT-ND
别名:*IRF7507TR
IRF7507
IRF7507CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7524D1TR
仓库库存编号:
IRF7524D1CT-ND
别名:*IRF7524D1TR
IRF7524D1
IRF7524D1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.7A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7601TR
仓库库存编号:
IRF7601CT-ND
别名:*IRF7601TR
IRF7601
IRF7601CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7604TR
仓库库存编号:
IRF7604CT-ND
别名:*IRF7604TR
IRF7604
IRF7604CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TR
仓库库存编号:
IRLMS1902CT-ND
别名:*IRLMS1902TR
IRLMS1902
IRLMS1902CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402S
仓库库存编号:
IRL3402S-ND
别名:*IRL3402S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.4A(Ta) 1.3W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7521D1
仓库库存编号:
IRF7521D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402
仓库库存编号:
IRL3402-ND
别名:*IRL3402
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.4A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7207
仓库库存编号:
IRF7207-ND
别名:*IRF7207
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.4A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7207TR
仓库库存编号:
IRF7207TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7322D1
仓库库存编号:
IRF7322D1-ND
别名:*IRF7322D1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7322D1TR
仓库库存编号:
IRF7322D1TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1TR
仓库库存编号:
IRF7324D1TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7402TR
仓库库存编号:
IRF7402TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7422D2TR
仓库库存编号:
IRF7422D2TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRL
仓库库存编号:
IRL3102STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRR
仓库库存编号:
IRL3102STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3202STRR
仓库库存编号:
IRL3202STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRL
仓库库存编号:
IRL3302STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRR
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRL
仓库库存编号:
IRL3402STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRR
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502STRR
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