产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8032-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8032-H(TE12LQM)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8033-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8033-H(TE12LQM)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8038-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8038-H(TE12L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8012-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8012-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8018-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8018-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8023-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8023-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8031-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 40V 4.7A PS-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.7A 360mW Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8203(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPCP8203(TE85L,F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
型号:
TPC8211(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8211(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD200N10TL
仓库库存编号:
RSD200N10TLCT-ND
别名:RSD200N10TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
详细描述:通孔 N 沟道 60V 35A(Ta) 35W(Tc) TO-220NIS
型号:
2SK3662(F)
仓库库存编号:
2SK3662(F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8026(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8025(TE12L,Q,M
仓库库存编号:
TPCA8025(TE12L,Q,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8042(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8042TE12LQMCT-ND
别名:TPC8042TE12LQM
TPC8042TE12LQMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8005-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8005-HTE85LFCT-ND
别名:TPCP8005-HTE85LFCT
TPCP8005HTE85LF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN2222LLRLRAG
仓库库存编号:
VN2222LLRLRAGOSCT-ND
别名:VN2222LLRLRAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A TSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3K315T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3K315T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3K315T(T5LFT)CT
SSM3K315T(T5LFT)CT-ND
SSM3K315T(TE85L)CT
SSM3K315T(TE85L)CT-ND
SSM3K315T(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8001-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8001-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8001-H(TE12LQMCT
TPCC8001HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8002-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8002-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8002-H(TE12LQMCT
TPCC8002HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8004(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPCP8004(TE85LF)CT-ND
别名:TPCP8004(TE85LF)CT
TPCP8004TE85LF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS105N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS105N03FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS120N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS120N03FU6TB-ND
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M6FU6TB
仓库库存编号:
SP8M6FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M7FU6TB
仓库库存编号:
SP8M7FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M5FU6TB
仓库库存编号:
SP8M5FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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