产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
型号:
DMN3190LDW-7
仓库库存编号:
DMN3190LDW-7DICT-ND
别名:DMN3190LDW-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),12.5A(Tc) 3.1W(Ta),20.8W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7296
仓库库存编号:
785-1731-1-ND
别名:785-1731-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4805
仓库库存编号:
785-1055-1-ND
别名:785-1055-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4130
仓库库存编号:
785-1216-1-ND
别名:785-1216-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC8030
仓库库存编号:
FDMC8030CT-ND
别名:FDMC8030CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT452AP
仓库库存编号:
NDT452APCT-ND
别名:NDT452APCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7288DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7288DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7288DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR876ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4190ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR826DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR826DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR826DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4178DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4178DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4178DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD1600N10ALZ
仓库库存编号:
FDD1600N10ALZCT-ND
别名:FDD1600N10ALZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
NDS9952A
仓库库存编号:
NDS9952ACT-ND
别名:NDS9952ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.5A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456CDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta),19A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD256
仓库库存编号:
785-1476-1-ND
别名:785-1476-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4456DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4456DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4456DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN3NF06L
仓库库存编号:
497-3177-1-ND
别名:497-3177-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 10.42W(Tc) SOT-223-4
型号:
FDT1600N10ALZ
仓库库存编号:
FDT1600N10ALZCT-ND
别名:FDT1600N10ALZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 550mA(Ta) 630mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN30H4D0LFDE-7
仓库库存编号:
DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
别名:DMN30H4D0LFDE-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD1600N10ALZD
仓库库存编号:
FDD1600N10ALZDCT-ND
别名:FDD1600N10ALZDCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7129DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7129DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7129DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
DI9956T
仓库库存编号:
DI9956CT-ND
别名:DI9956
DI9956CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
DI9956T
仓库库存编号:
981-DI9956T-CHP
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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