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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 44A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB407N30NATMA1
  仓库库存编号：IPB407N30NATMA1-ND
  别名：SP001273344
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N25N3 G
  仓库库存编号：IPI200N25N3 G-ND
  别名：IPI200N25N3G
  IPI200N25N3GAKSA1
  SP000714308
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 44A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP410N30NAKSA1
  仓库库存编号：IPP410N30NAKSA1-ND
  别名：SP001082134
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF300P227
  仓库库存编号：IRF300P227-ND
  别名：SP001582356
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF200P223
  仓库库存编号：IRF200P223-ND
  别名：SP001582440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 69A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF250P225
  仓库库存编号：IRF250P225-ND
  别名：SP001582436
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 182A（Tc） 556W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF200P222
  仓库库存编号：IRF200P222-ND
  别名：SP001582092
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 96A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF250P224
  仓库库存编号：IRF250P224-ND
  别名：SP001582438
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP050N06N G
  仓库库存编号：IPP050N06NGIN-ND
  别名：IPP050N06N G-ND
  IPP050N06NGIN
  IPP050N06NGX
  IPP050N06NGXK
  SP000204169
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB050N06NGATMA1
  仓库库存编号：IPB050N06NGATMA1CT-ND
  别名：IPB050N06NG
  IPB050N06NGINCT
  IPB050N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI075N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI075N15N3GHKSA1-ND
  别名：IPI075N15N3 G
  IPI075N15N3 G-ND
  SP000414712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB065N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB065N15N3 G E8187CT
  IPB065N15N3 G E8187CT-ND
  IPB065N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB072N15N3 G E8187CT
  IPB072N15N3 G E8187CT-ND
  IPB072N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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