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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R110CFD
  仓库库存编号：IPB65R110CFDCT-ND
  别名：IPB65R110CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R110CFD
  仓库库存编号：IPW65R110CFD-ND
  别名：IPW65R110CFDFKSA1
  SP000895232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R110CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000895234
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R110CFD
  IPP65R110CFD-ND
  SP000895226
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R110CFD
  IPI65R110CFD-ND
  SP000896398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R110CFD
  IPA65R110CFD-ND
  SP000895230
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R110CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R110CFDAATMA1-ND
  别名：SP000896402
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R110CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R110CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000895236
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.3mA,
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