产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(9)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(9)
筛选品牌
Infineon Technologies (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190C6
仓库库存编号:
IPA60R190C6-ND
别名:IPA60R190C6XKSA1
SP000621152
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R190C6
仓库库存编号:
IPW60R190C6-ND
别名:IPW60R190C6FKSA1
SP000621160
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R190E6
仓库库存编号:
IPW60R190E6-ND
别名:IPW60R190E6FKSA1
SP000797384
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R190C6
仓库库存编号:
IPB60R190C6INCT-ND
别名:IPB60R190C6INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R190C6
仓库库存编号:
IPP60R190C6-ND
别名:IPP60R190C6XKSA1
SP000621158
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R190E6XKSA1-ND
别名:IPA60R190E6
IPA60R190E6-ND
SP000797380
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R190E6
仓库库存编号:
IPP60R190E6-ND
别名:IPP60R190E6XKSA1
SP000797378
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名:SP001391612
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名:IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号