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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R150CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R150CFDXKSA1-ND
  别名：SP000907024
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R150CFDATMA1
  仓库库存编号：IPB65R150CFDATMA1CT-ND
  别名：IPB65R150CFDATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21.3A（Tc） 195W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R165CFDAUMA1
  仓库库存编号：IPL65R165CFDAUMA1-ND
  别名：SP000949254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R150CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R150CFDXKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R150CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R150CFDAATMA1-ND
  别名：SP000928270
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R150CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R150CFDFKSA1-ND
  别名：SP000907038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R150CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R150CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000928272
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R150CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R150CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000928274
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA,
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