产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10T
仓库库存编号:
IXTN200N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
详细描述:底座安装 P 沟道 200V 106A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN120P20T
仓库库存编号:
IXTN120P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
详细描述:底座安装 P 沟道 100V 210A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN210P10T
仓库库存编号:
IXTN210P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP120NF04
仓库库存编号:
STP120NF04-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730A
仓库库存编号:
IRF730A-ND
别名:*IRF730A
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730AS
仓库库存编号:
IRF730AS-ND
别名:*IRF730AS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830AS
仓库库存编号:
IRF830AS-ND
别名:*IRF830AS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30A
仓库库存编号:
IRFBC30A-ND
别名:*IRFBC30A
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30AS
仓库库存编号:
IRFBC30AS-ND
别名:*IRFBC30AS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820AS
仓库库存编号:
IRF820AS-ND
别名:*IRF820AS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820A
仓库库存编号:
IRF820A-ND
别名:*IRF820A
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730AL
仓库库存编号:
IRF730AL-ND
别名:*IRF730AL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) I2PAK
型号:
IRF820AL
仓库库存编号:
IRF820AL-ND
别名:*IRF820AL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830AL
仓库库存编号:
IRF830AL-ND
别名:*IRF830AL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRL
仓库库存编号:
IRF730ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRR
仓库库存编号:
IRF730ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820ASTRL
仓库库存编号:
IRF820ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820ASTRR
仓库库存编号:
IRF820ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830ASTRL
仓库库存编号:
IRF830ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30AL
仓库库存编号:
IRFBC30AL-ND
别名:*IRFBC30AL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRL
仓库库存编号:
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS2170N3
仓库库存编号:
FDS2170N3CT-ND
别名:FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-ND
FDS2170N3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS2170N7
仓库库存编号:
FDS2170N7CT-ND
别名:FDS2170N7_NLCT
FDS2170N7_NLCT-ND
FDS2170N7CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.9A(Ta) 42W(Ta) TO-252
型号:
FDD2612
仓库库存编号:
FDD2612-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
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