产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225H6327FTSA1
仓库库存编号:
BSS225H6327FTSA1CT-ND
别名:BSS225H6327FTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP125H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP125H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP324H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP324H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS225H6327XTSA1-ND
别名:SP001195032
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP125H6433XTMA1-ND
别名:SP001058578
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6327
仓库库存编号:
BSP125 E6327-ND
别名:BSP125E6327T
SP000011100
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6433
仓库库存编号:
BSP125 E6433-ND
别名:BSP125E6433T
SP000011101
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324 E6327
仓库库存编号:
BSP324 E6327-ND
别名:BSP324E6327T
SP000011117
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225
仓库库存编号:
BSS225-ND
别名:BSS225T
SP000017502
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS225L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名:BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94μA,
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MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324L6327HTSA1
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BSP324L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP324 L6327CT
BSP324 L6327CT-ND
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