产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名:IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04N G
仓库库存编号:
IPB015N04N GCT-ND
别名:IPB015N04N GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP048N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP048N04NGXKSA1-ND
别名:IPP048N04N G
IPP048N04N G-ND
IPP048N04NG
SP000648308
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028782
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA2-ND
别名:SP001028780
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP065N04N G
仓库库存编号:
IPP065N04N G-ND
别名:IPP065N04NG
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200μA,
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