产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2318AES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2318AES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1NK80ZR-AP
仓库库存编号:
497-6197-1-ND
别名:497-6197-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1NK60ZR-AP
仓库库存编号:
497-12343-3-ND
别名:497-12343-3
STQ1NK60ZRAP
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 3W(Tc)
型号:
SQ2362ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2362ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V SO23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2389ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2389ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ2NK60ZR-AP
仓库库存编号:
497-12345-3-ND
别名:497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 840mA(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2325ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2325ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2325ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 400mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1HN60K3-AP
仓库库存编号:
497-13784-1-ND
别名:497-13784-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2301ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2301ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) TO-236
型号:
SQ2348ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2348ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2348ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3A SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Tc) 3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1431EH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1431EH-T1_GE3CT-ND
别名:SQ1431EH-T1-GE3CT
SQ1431EH-T1-GE3CT-ND
SQ1431EH-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3457CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3457CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3457CDV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ2HNK60ZR-AP
仓库库存编号:
497-12344-3-ND
别名:497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ2HNK60ZR-AP
仓库库存编号:
497-12344-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ3N45K3-AP
仓库库存编号:
497-10969-1-ND
别名:497-10969-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1HNK60R-AP
仓库库存编号:
497-15648-1-ND
别名:497-15648-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2337ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2337ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3453DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3453DV-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 2 个 P 沟道 3.9A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3985EV-T1_GE3
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SQ3985EV-T1_GE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SMM2348ES-T1-GE3
仓库库存编号:
SMM2348ES-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 500V 500mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ3NK50ZR-AP
仓库库存编号:
STQ3NK50ZR-AP-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 15A(Tc) 3W(Tc) 8-SO
型号:
STS15N4LLF5
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别名:497-10579-1
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.4A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2360EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2360EES-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
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MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2319ES-T1-GE3
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SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2319ES-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3W(Tc),
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