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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP054N10
  仓库库存编号：FDP054N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK662R4-40C,118
  仓库库存编号：1727-5519-1-ND
  别名：1727-5519-1
  568-6998-1
  568-6998-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK768R1-100E,118
  仓库库存编号：1727-1062-1-ND
  别名：1727-1062-1
  568-10171-1
  568-10171-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN8R5-100ESQ
  仓库库存编号：1727-1054-ND
  别名：1727-1054
  568-10161-5
  568-10161-5-ND
  934067378127
  PSMN8R5100ESQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V SOT78
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R9-60PSQ
  仓库库存编号：1727-1133-ND
  别名：1727-1133
  568-10288-5
  568-10288-5-ND
  934067464127
  PSMN3R9-60PSQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tj） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R5-100PSQ
  仓库库存编号：1727-1053-ND
  别名：1727-1053
  568-10160-5
  568-10160-5-ND
  934067376127
  PSMN8R5100PSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP045N10A_F102
  仓库库存编号：FDP045N10A_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220
  
  型号：FDP032N08B_F102
  仓库库存编号：FDP032N08B_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：FDI045N10A_F102
  仓库库存编号：FDI045N10A_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R2-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1059-ND
  别名：1727-1059
  568-10167-5
  568-10167-5-ND
  934067502127
  PSMN4R260PLQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R8-75C,118
  仓库库存编号：1727-5527-1-ND
  别名：1727-5527-1
  568-7006-1
  568-7006-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R9-60E,118
  仓库库存编号：1727-1066-1-ND
  别名：1727-1066-1
  568-10176-1
  568-10176-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1065-1-ND
  别名：1727-1065-1
  568-10175-1
  568-10175-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R8-30C,118
  仓库库存编号：1727-5517-1-ND
  别名：1727-5517-1
  568-6996-1
  568-6996-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK969R3-100E,118
  仓库库存编号：1727-1064-1-ND
  别名：1727-1064-1
  568-10174-1
  568-10174-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK962R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1095-1-ND
  别名：1727-1095-1
  568-10250-1
  568-10250-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK964R2-60E,118
  仓库库存编号：1727-1100-1-ND
  别名：1727-1100-1
  568-10255-1
  568-10255-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK652R6-40C,127
  仓库库存编号：568-7493-5-ND
  别名：568-7493-5
  934064249127
  BUK652R6-40C,127-ND
  BUK652R640C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK652R1-30C,127
  仓库库存编号：568-7491-5-ND
  别名：568-7491-5
  934064241127
  BUK652R1-30C,127-ND
  BUK652R130C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：FDI045N10A
  仓库库存编号：FDI045N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP045N10A
  仓库库存编号：FDP045N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 263W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PHW80NQ10T,127
  仓库库存编号：PHW80NQ10T,127-ND
  别名：934055695127
  PHW80NQ10T
  PHW80NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK653R5-55C,127
  仓库库存编号：568-7497-5-ND
  别名：568-7497-5
  934064238127
  BUK653R5-55C,127-ND
  BUK653R555C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK655R0-75C,127
  仓库库存编号：568-7502-5-ND
  别名：568-7502-5
  934064245127
  BUK655R0-75C,127-ND
  BUK655R075C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R5-55C,118
  仓库库存编号：1727-5523-1-ND
  别名：1727-5523-1
  568-7002-1
  568-7002-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 263W（Tc）,
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