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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta），3.3A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP1081UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1081UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1081UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP1096UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1096UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1096UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP1080UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1080UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1080UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta） 820mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4920NR2G
  仓库库存编号：NTMS4920NR2GOSCT-ND
  别名：NTMS4920NR2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.1A（Ta） 820mW（Ta） 6-UDFN2020（2x2）
  
  型号：DMT5015LFDF-7
  仓库库存编号：DMT5015LFDF-7DICT-ND
  别名：DMT5015LFDF-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 820mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：DMT6016LFDF-7
  仓库库存编号：DMT6016LFDF-7DICT-ND
  别名：DMT6016LFDF-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta），10.2A（Tc） 820mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4872NR2G
  仓库库存编号：NTMS4872NR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 820mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR3161NT1G
  仓库库存编号：NTR3161NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 820mW（Ta）,
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