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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3495DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3495DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3867DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3867DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 60V SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.1W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3701C
  仓库库存编号：CPC3701C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 4.4A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3445ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3445ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3445ADV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 16A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2735GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2735GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2736GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2736GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2738GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2738GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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