产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT7P2UH7
仓库库存编号:
497-15157-1-ND
别名:497-15157-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN2540N8-G
仓库库存编号:
DN2540N8-GCT-ND
别名:DN2540N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2524N8-G
仓库库存编号:
TN2524N8-GCT-ND
别名:TN2524N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT3P2UH7
仓库库存编号:
497-15156-1-ND
别名:497-15156-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.63A TO243AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 630mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN0104N8-G
仓库库存编号:
TN0104N8-GCT-ND
别名:TN0104N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT5N2VH5
仓库库存编号:
497-13786-1-ND
别名:497-13786-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT6N3LLH6
仓库库存编号:
497-13591-1-ND
别名:497-13591-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 890mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2504N8-G
仓库库存编号:
TN2504N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18V 400mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2501N8-G
仓库库存编号:
TN2501N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 480mA(Tj) 1.6W(Tc) SOT-89-3
型号:
TN2425N8-G
仓库库存编号:
TN2425N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT4PF20V
仓库库存编号:
497-3236-1-ND
别名:497-3236-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT3PF20V
仓库库存编号:
STT3PF20V-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT2PF60L
仓库库存编号:
497-8045-1-ND
别名:497-8045-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.4A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT3PF30L
仓库库存编号:
497-8046-1-ND
别名:497-8046-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
无铅
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MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT5PF20V
仓库库存编号:
STT5PF20V-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Tc),
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