产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(14)
筛选品牌
Diodes Incorporated (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN4034SSS-13
仓库库存编号:
DMN4034SSS-13CT-ND
别名:DMN4034SSS-13CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN6066SSS-13
仓库库存编号:
DMN6066SSS-13CT-ND
别名:DMN6066SSS-13CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP6A17N8TC
仓库库存编号:
ZXMP6A17N8TCCT-ND
别名:ZXMP6A17N8TCCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN2028USS-13
仓库库存编号:
DMN2028USS-13DICT-ND
别名:DMN2028USS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMP4050SSS-13
仓库库存编号:
DMP4050SSS-13CT-ND
别名:DMP4050SSS-13CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN2A02N8TA
仓库库存编号:
ZXMN2A02N8CT-ND
别名:ZXMN2A02N8CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN6A25N8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A25N8TADI-ND
别名:ZXMN6A25N8TADI
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN3A02N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A02N8CT-ND
别名:ZXMN3A02N8CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.4A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXM66P02N8TA
仓库库存编号:
ZXM66P02N8CT-ND
别名:ZXM66P02N8CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.25A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXM66P03N8TA
仓库库存编号:
ZXM66P03N8CT-ND
别名:ZXM66P03N8CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 6A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN4027SSS-13
仓库库存编号:
DMN4027SSS-13CT-ND
别名:DMN4027SSS-13CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3F35N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3F35N8TADI-ND
别名:ZXMP3F35N8TADI
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.2A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3F36N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3F36N8TADI-ND
别名:ZXMP3F36N8TADI
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.4A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3F37N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3F37N8TADI-ND
别名:ZXMP3F37N8TADI
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号