产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP030N06
仓库库存编号:
FDP030N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL40B212
仓库库存编号:
IRL40B212-ND
别名:SP001578760
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 231W(Tc) D2PAK-7
型号:
AUIRFS8407-7P
仓库库存编号:
AUIRFS8407-7P-ND
别名:SP001518052
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
IRL40S212
仓库库存编号:
IRL40S212-ND
别名:IRL40S212CT
IRL40S212CT-ND
SP001568454
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB029N06
仓库库存编号:
FDB029N06CT-ND
别名:FDB029N06CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7437TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7437TRL7PPCT-ND
别名:IRFS7437TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 231W(Tc) TO-247
型号:
R6020KNZ1C9
仓库库存编号:
R6020KNZ1C9-ND
别名:R6020KNZ1C9TR
R6020KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 231W(Tc) TO-263
型号:
R6020KNJTL
仓库库存编号:
R6020KNJTLCT-ND
别名:R6020KNJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI030N06
仓库库存编号:
FDI030N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 231W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N04S41R0ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N04S41R0ATMA1-ND
别名:SP000998288
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 240A(Tc) 231W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N03S4LR9ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N03S4LR9ATMA1-ND
别名:SP000932012
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS8407-7TRL
仓库库存编号:
AUIRFS8407-7TRL-ND
别名:SP001516126
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2903ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF2903ZSTRL-ND
别名:SP001521122
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF2903ZL
仓库库存编号:
AUIRF2903ZL-ND
别名:SP001520876
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 231W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI040N06
仓库库存编号:
FDI040N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP040N06
仓库库存编号:
FDP040N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB039N06
仓库库存编号:
FDB039N06CT-ND
别名:FDB039N06CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP1M015A050H
仓库库存编号:
GP1M015A050H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP2M012A060H
仓库库存编号:
GP2M012A060H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP1M012A060H
仓库库存编号:
1560-1180-5-ND
别名:1560-1180-1
1560-1180-1-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 231W(Tc) TO-262
型号:
IRF2903ZLPBF
仓库库存编号:
IRF2903ZLPBF-ND
别名:SP001561564
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2903ZS
仓库库存编号:
AUIRF2903ZS-ND
别名:SP001518498
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 231W(Tc),
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