产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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分立半导体产品
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP4N60P
仓库库存编号:
IXTP4N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP5N50P
仓库库存编号:
IXTP5N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA4N60P
仓库库存编号:
IXTA4N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTU5N50P
仓库库存编号:
IXTU5N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA5N50P
仓库库存编号:
IXTA5N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N60P
仓库库存编号:
IXTY4N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3717TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR3717TRRPBF-ND
别名:SP001569116
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3717TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3717TRPBF-ND
别名:SP001553200
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3717PBF
仓库库存编号:
IRLR3717PBF-ND
别名:*IRLR3717PBF
SP001568638
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名:IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名:SP000236069
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号:
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名:IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名:IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 61A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3102L
仓库库存编号:
IRL3102L-ND
别名:*IRL3102L
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TF
仓库库存编号:
FDD6N50TFCT-ND
别名:FDD6N50TFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY5N50P
仓库库存编号:
IXTY5N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.5A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50FTF
仓库库存编号:
FDD6N50FTFCT-ND
别名:FDD6N50FTFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 89W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU7S65
仓库库存编号:
785-1523-5-ND
别名:AOU7S65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TM
仓库库存编号:
FDD6N50TM-5-ND
别名:FDD6N50TM-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M009A090FG
仓库库存编号:
GP2M009A090FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM6N60CH C5G
仓库库存编号:
TSM6N60CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N60CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N60CP ROGTR-ND
别名:TSM6N60CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N60CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N60CP ROGCT-ND
别名:TSM6N60CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
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TSM6N60CP ROG
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TSM6N60CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N60CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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