产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM8N50CH C5G
仓库库存编号:
TSM8N50CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM8N50CP ROGTR-ND
别名:TSM8N50CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM8N50CP ROGCT-ND
别名:TSM8N50CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM8N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM8N50CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3102
仓库库存编号:
IRL3102-ND
别名:*IRL3102
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102S
仓库库存编号:
IRL3102S-ND
别名:*IRL3102S
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRL
仓库库存编号:
IRL3102STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRR
仓库库存编号:
IRL3102STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103TR
仓库库存编号:
IRLR8103TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113
仓库库存编号:
IRLR8113-ND
别名:*IRLR8113
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TR
仓库库存编号:
IRLR8113TR-ND
别名:SP001558970
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3717PBF
仓库库存编号:
IRLU3717PBF-ND
别名:*IRLU3717PBF
SP001573078
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8113PBF
仓库库存编号:
IRLU8113PBF-ND
别名:*IRLU8113PBF
SP001552924
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3102PBF
仓库库存编号:
IRL3102PBF-ND
别名:*IRL3102PBF
SP001576478
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102SPBF
仓库库存编号:
IRL3102SPBF-ND
别名:*IRL3102SPBF
SP001576532
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8113PBFCT-ND
别名:*IRLR8113TRPBF
IRLR8113PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3717TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR3717TRLPBF-ND
别名:SP001567384
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3102STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
SP000683078
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