产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
型号：
APT56M50B2
仓库库存编号：
APT56M50B2-ND
别名：APT56M50B2MI
APT56M50B2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
型号：
APT56M50L
仓库库存编号：
APT56M50L-ND
别名：APT56M50LMI
APT56M50LMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT43M60L
仓库库存编号：
APT43M60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 780W（Tc） TO-247
型号：
IXTH62N65X2
仓库库存编号：
IXTH62N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-268HV
型号：
IXFT150N25X3HV
仓库库存编号：
IXFT150N25X3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43M60B2
仓库库存编号：
APT43M60B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43F60B2
仓库库存编号：
APT43F60B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN94N50P2
仓库库存编号：
IXFN94N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
不适用
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 63A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N50Q3
仓库库存编号：
IXFN80N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N80Q3
仓库库存编号：
IXFN44N80Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 28A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N100Q3
仓库库存编号：
IXFN32N100Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT56F50B2
仓库库存编号：
APT56F50B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 780W（Tc）
型号：
IXFH60N65X2
仓库库存编号：
IXFH60N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-247
型号：
IXFH150N25X3
仓库库存编号：
IXFH150N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT43F60L
仓库库存编号：
APT43F60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT56F50L
仓库库存编号：
APT56F50L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX20N120
仓库库存编号：
IXFX20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK20N120
仓库库存编号：
IXFK20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX20N120P
仓库库存编号：
IXFX20N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK20N120P
仓库库存编号：
IXFK20N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N100P
仓库库存编号：
IXFX26N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK26N100P
仓库库存编号：
IXFK26N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN20N120
仓库库存编号：
IXFN20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
型号：
APTM10DAM05TG
仓库库存编号：
APTM10DAM05TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
型号：
APTM10SKM05TG
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APTM10SKM05TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
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