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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB013NE2LXI
  仓库库存编号：BSB013NE2LXICT-ND
  别名：BSB013NE2LXICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），57W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB012NE2LXIXUMA1
  仓库库存编号：BSB012NE2LXIXUMA1-ND
  别名：SP001034232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），57W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB280N15NZ3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB280N15NZ3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB280N15NZ3 GCT
  BSB280N15NZ3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），57W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.4A（Ta），19A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6785MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6785MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6785MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），57W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB012NE2LX
  仓库库存编号：BSB012NE2LXCT-ND
  别名：BSB012NE2LXCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），57W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB017N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB017N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB017N03LX3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），57W（Tc）,
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