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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2287WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2287WP-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI520N
  仓库库存编号：IRFI520N-ND
  别名：*IRFI520N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI520N
  仓库库存编号：IRLI520N-ND
  别名：*IRLI520N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX14NQ20T,127-ND
  别名：934055773127
  PHX14NQ20T
  PHX14NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX18NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX18NQ20T,127-ND
  别名：934056396127
  PHX18NQ20T
  PHX18NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 30W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD14N06S2-80
  仓库库存编号：SPD14N06S2-80-ND
  别名：SP000013575
  SPD14N06S280T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R520CP
  IPA60R520CP-ND
  SP000405856
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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