以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK4002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK4002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-251
  
  型号：RJK6002DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6002DPH-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK03M5DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK03M5DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK03M4DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK03M4DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N40D-E3
  仓库库存编号：SIHF6N40D-E3-ND
  别名：SIHF6N40DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN050N20FU6
  仓库库存编号：RDN050N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX050N25
  仓库库存编号：RCX050N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK5A45DA(STA4QM)
  TK5A45DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 450V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 3A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2803
  仓库库存编号：2SK2803-ND
  别名：2SK2803 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 500V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3199
  仓库库存编号：2SK3199-ND
  别名：2SK3199 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK3A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A60DA(STA4QM)
  TK3A60DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 54A（Tc） 30W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC013P030Z
  仓库库存编号：FDMC013P030Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2164H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2164H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 600V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2848
  仓库库存编号：2SK2848-ND
  别名：2SK2848 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK2A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK2A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK2A65D(STA4QM)
  TK2A65DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2165H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2165H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2160H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2160H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC20GPBF-ND
  别名：*IRFIBC20GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2173H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2173H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK1557DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK1557DPA-00#J0TR-ND
  别名：RJK1557DPA-00#J0-ND
  RJK1557DPA-00#J0TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK1555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK1555DPA-00#J0TR-ND
  别名：RJK1555DPA-00#J0-ND
  RJK1555DPA-00#J0TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 900V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2943
  仓库库存编号：2SK2943-ND
  别名：2SK2943 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2169H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2169H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2170H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2170H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
• 搜索