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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610SPBF
  仓库库存编号：IRF610SPBF-ND
  别名：*IRF610SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF610LPBF
  仓库库存编号：IRF610LPBF-ND
  别名：*IRF610LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610STRLPBF
  仓库库存编号：IRF610STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610STRRPBF
  仓库库存编号：IRF610STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610S
  仓库库存编号：IRF610S-ND
  别名：*IRF610S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF610L
  仓库库存编号：IRF610L-ND
  别名：*IRF610L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610STRL
  仓库库存编号：IRF610STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610STRR
  仓库库存编号：IRF610STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3W（Ta），36W（Tc）,
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