产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),6W(Tc),
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分立半导体产品
分立半导体产品
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(5)
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6 毫欧 @ 15.7A,10V(1)
9 毫欧 @ 12.4A,10V(2)
63 毫欧 @ 4.4A,10V(2)
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6V,10V(2)
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N 沟道(5)
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24A(Tc)(1)
19A(Tc)(2)
6.8A(Tc)(2)
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1700pF @ 15V(1)
2000pF @ 20V(2)
600pF @ 50V(2)
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-(5)
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3V @ 250μA(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4156DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4156DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4156DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),6W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),6W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),6W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),6W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-GE3CT
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