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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS410DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS410DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS410DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7322DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7322DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS402DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS402DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS402DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7812DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7812DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7812DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7812DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7812DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7812DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7102DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS456DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS456DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS456DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 8.9A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7315DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7315DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7315DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6296
  仓库库存编号：FDD6296CT-ND
  别名：FDD6296CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS454DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS454DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS454DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc）
  
  型号：SI7102DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS452DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS452DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS452DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS434DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS434DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS434DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS430DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS430DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS430DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7726DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7726DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7726DN-T1-GE3TR
  SI7726DNT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS776DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS776DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7322DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7720DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7720DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7720DN-T1-GE3TR
  SI7720DNT1GE3
  
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  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7104DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7104DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7104DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7104DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7302DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7302DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），50A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6696
  仓库库存编号：FDD6696-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 15A（Ta），50A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU6296
  仓库库存编号：FDU6296-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7100DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7100DN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7100DN-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7601DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7601DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7601DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）,
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