产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 11W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU01N60C3
仓库库存编号:
SPU01N60C3IN-ND
别名:SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3BKMA1
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 11W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD01N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD01N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 11W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS01N60C3
仓库库存编号:
SPS01N60C3-ND
别名:SP000235876
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 11W(Tc),
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