产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Ta),32A(Tc) 69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD4685
仓库库存编号:
FDD4685CT-ND
别名:FDD4685CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 69W(Tc) TO-247-3
型号:
C2M1000170D
仓库库存编号:
C2M1000170D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.6A(Ta),44A(Tc) 69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GCT-ND
BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM080N03PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM080N03PQ56 RLGTR-ND
别名:TSM080N03PQ56 RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM080N03PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM080N03PQ56 RLGCT-ND
别名:TSM080N03PQ56 RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM080N03PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM080N03PQ56 RLGDKR-ND
别名:TSM080N03PQ56 RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 69W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4167-1-ND
别名:1727-4167-1
568-4683-1
568-4683-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 48A(Tc) 69W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH7R204PL,LQ
仓库库存编号:
TPH7R204PLLQCT-ND
别名:TPH7R204PLLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7149DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7149DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7149DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 69W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN3R9-25MLC,115
仓库库存编号:
1727-7142-1-ND
别名:1727-7142-1
568-9575-1
568-9575-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 69W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN4R4-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7143-1-ND
别名:1727-7143-1
568-9576-1
568-9576-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ075N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120N06LCR RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCR RLGTR-ND
别名:TSM120N06LCR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120N06LCR RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCR RLGCT-ND
别名:TSM120N06LCR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120N06LCR RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCR RLGDKR-ND
别名:TSM120N06LCR RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 69W(Tc) ITO-220S
型号:
TSM80N400CF C0G
仓库库存编号:
TSM80N400CF C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-251
型号:
SIHU3N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHU3N50D-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 500V
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
SIHU3N50DA-GE3
仓库库存编号:
SIHU3N50DA-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD3N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD3N50D-GE3-ND
别名:SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-251AA
型号:
SIHU3N50D-E3
仓库库存编号:
SIHU3N50D-E3-ND
别名:SIHU3N50D-E3CT
SIHU3N50D-E3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD3N50D-E3
仓库库存编号:
SIHD3N50D-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR164DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR164DP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR800DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR800DP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 69W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN3R8-30LL,115
仓库库存编号:
568-5592-1-ND
别名:568-5592-1
PSMN3R830LL115
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 69W(Tc),
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